几大晶圆厂谁能获得优势？

随着主流CMOS工艺在理论，实践和经济方面的限制，降低IC成本（基于每个功能或每个性能）比以往任何时候都更具挑战性和挑战性。

下图列出了公司目前使用的几种领先的高级逻辑技术。

英特尔其2018年末推出的第九代处理器的代号为“Coffee Lake-S”，有时也称为“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品，但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少，但这些处理器似乎是在14nm++工艺的增强版本上制造的，或者可能被认为是14nm+++工艺。

使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出，它将于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了应该是10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年发布，当然10nm+衍生工艺将进入批量生产阶段。

台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产，但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。

台积电5纳米工艺正在开发中，预计将于2019年上半年进入风险生产阶段，到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV，但它不会是台积电利用EUV技术的第一个流程。首先是该公司7nm技术的改进版本。N7+工艺仅在关键层（四层）上使用EUV，而N5工艺将广泛使用EUV（最多14层）。N7+计划于2019年第二季度投入量产。

三星在2018年初，三星开始批量生产第二代10nm工艺，称为10LPP（低功率+）。在2018年晚些时候，三星推出了第三代10nm工艺，称为10LPU（低功耗终极），提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻技术，与台积电不同，三星认为其10纳米工艺系列（包括8纳米衍生产品）的生命周期很长。

三星的7nm技术于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺，而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。

GlobalFoundries-GF将其22nm FD-SOI工艺视为其市场，并与其14nm finFET技术相辅相成。该公司称22FDX平台的性能与finFET非常接近，但制造成本与28nm技术相同。

2018年8月，GlobalFoundries宣布将停止7nm开发，因为该技术节点的生产成本增加，并且因为有太少的代工客户计划使用下一代工艺，因此对战略进行了重大转变。因此，该公司转向其研发工作，以进一步增强其14nm和12nm FinFET工艺及其完全耗尽的SOI技术。

总结来看，正如前面所提及的，目前逻辑芯片制造领域，台积电是老大，三星虽然排名第二，但是与台积电还是有一定的差距。不过，随着三星不断在代工业务上加大投入，目前与台积电的差距正在逐渐缩小。此次，三星的1158亿美元投资计划，将有望帮助三星进一步缩小与台积电的差距，甚至是反超。

中国逻辑芯片的进展如何？

首先在逻辑芯片方面，国内有一大批的基于Arm架构的CPU厂商，并且在移动领域及物联网市场上取得非常出色的成绩，比如华为海思的麒麟处理器。在基于MIPS架构CPU领域，国内也有龙芯、北京君正等，而在基于x86架构的CPU厂商方面，国内也有天津飞腾等。此外，近两年来，众多的国产芯片厂商还涌入了新兴的RISC-V的CPU架构领域，以期打破对于Arm的过度依赖。在GPU领域，目前国内也有已被中国资本收购的Imgination，其曾是苹果的GPU供应商。

在可编程逻辑芯片方面，2017年广东高云半导体科技股份有限公司打破了美国独霸天下的格局，成功研发出系列可擦写、可编程逻辑芯片FPGA产品，并实现量产。中国因此成为世界第二个自主研发并产业化FPGA芯片的国家。该芯片被誉为“万能芯片”，广泛用于汽车电子、通讯、军工、航空航天、物联网、大数据等领域，是人工智能产品的核心技术之一。

而对于逻辑芯片来说，逻辑制程工艺极为关键，今年2月份，中芯国际传来喜讯，今年上半年将会大规模量产14nm工艺，良品率达到了95%，已经非常成熟了，政府对于中芯国际14nm及更先进工艺的支持力度也在不断加大，另外，曾经台积电、三星任职半导体研发的大神梁孟松也加盟到了中芯国际中去。

中芯国际还在去年向荷兰ASML订购了一台EUV极紫外光刻机，单价高达1.2亿美元，将会在今年年初交付，用于未来中芯国际打造7nm工艺。

ASML表示：由于逻辑芯片市场未来发展的趋势依旧稳健，内存芯片市场对于光刻系统的需求强劲，随着工艺的提高，都需要更好的设备来提高生产力。尤其随着内存层数的不断提高，层数越多就越需要EUV提高生产力，降低生产成本，因为更高的生产力就意味着更低的成本。

总的来说，近年来中国在逻辑芯片以及逻辑制程工艺方面发展很快，并且在一些细分领域还取得技术以及市场上的领先。相比之下在内存和存储等非逻辑芯片方面，中国目前仍处于落后地位。