订阅
纠错
加入自媒体
发文

三星发现全新半导体材料:内存、闪存迎来革命

2020-07-07 10:13
快科技
关注

三星电子宣布,三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学,发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride),简称a-BN,有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

近些年,三星SAIT围绕只有一层原子厚度的2D材料展开了集中攻关,尤其是围绕石墨烯取得了多项突破,包括石墨烯势垒三极管、新的石墨烯晶体管、大面积单晶体晶圆级石墨烯制造新法等等,并在加速它们的商业化。

三星发现全新半导体材料:内存、闪存迎来革命

无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构,内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯,后者也有硼原子、氮原子,不过是六边形结构,无定形氮化硼则与之截然不同。

三星表示,无定形氮化硼的介电常数非常之低,只有区区1.78,同时又有很强的电气和力学属性,作为一种互连隔绝材料可以大大减少电子干扰,而且只需400℃的超低温度,就能成长到晶圆级别尺寸。

三星认为,无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造,特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号