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SK海力士公布新款DRAM 称实现单晶圆存储量最大

2019-10-23 17:01
来源: 镁客网

在推进DRAM的制造技术上,三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。

近日,SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米(10nm)工艺的DDR4动态随机存储器(DRAM),称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB,即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。

据悉,新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,达到DDR4规格内最高速度;同时在功耗方面,与上一代相同容量模组相比,降低了约40%;此外,与上一代1Y纳米产品相比,其产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

值得指出的是,第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容,而随着电容的增加,存储数据的保留时间和一致性也会增加,因而稳定性得以提升。

对于产品的商用,SK海力士表示将在年内做好批量生产的准备,并于2020年开始全面供应,以积极响应市场需求。此外,它计划将第三代1Z纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

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