DRAM
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而查看详情>导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
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SK海力士公布新款DRAM 称实现单晶圆存储量最大
SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大。
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从晋华DRAM事件出发，了解我国存储芯片产业瓶颈在哪里
近来，关于福建晋华、台湾联华电子与美国美光有关DRAM专利侵权的事件成为产业热点。从晋华和美光的三次互诉，到美国商务部对晋华禁售和联电暂停与晋华的合作，在中美贸易战背景下，这不禁让人联想到中兴因美国制裁而运营停摆的事件。
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