图12 DRAM和NAND竞争格局分析

海关数据显示，2017年中国进口存储芯片889亿美元，比2016年增长39．6％。DRAM、NAND的寡头垄断造成下游客户毫无议价能力。2017财年，三星、SK海力士、美光三家存储巨头的半导体业务在中国的营收分别为104、254、89亿美金，合计达到447亿美金，超过中国存储芯片进口额度的半数。

因此，无论从经济安全，还是信息安全角度，我国都亟待发展存储芯片产业。

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我国存储芯片市场：短期格局难变

作为全球最大的存储芯片消费市场之一，面对产业基础薄弱，自给率极低的窘境，在政府引导和支持下，产业界全力以赴追赶超越，加快发展。目前，国内有三大存储项目：紫光集团与武汉、南京及成都合作展开的NAND与DRAM项目，兆易创新与合肥合作的DRAM项目（合肥长鑫），联电与福建省合作的DRAM项目（福建晋华）。

表2 主要存储芯片企业分析

紫光集团（长江存储＋紫光南京＋紫光成都）

紫光集团在南京、成都各有一座半导体产业基地，又与武汉新芯合作成立长江存储国家存储芯片基地。南京半导体产业基地主要生产DRAM以及NAND芯片，成都基地和长江存储将专注于3D NAND闪存芯片。

长江存储2016年7月成立，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路基金、湖北科投联合投资240亿美元。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储芯片基地正式开工，建设3座全球单座面积最大的3D NAND Flash厂。项目一期2018年建成投产，实现零的突破，成功进入市场，预计2019年毛利转正，2020年月产能30万片，2023年月产能100万片，年产值达1000 亿人民币。

图13 长江存储项目重要时间节点

紫光南京／成都半导体产业基地均由紫光集团投资建设，目前处于建设期，未来产能均为30万片／月。

合肥长鑫

合肥长鑫存储由兆易创新与合肥市产业投资控股合作，建设19nm、12寸晶圆DRAM芯片项目，预算金额180亿元。

合肥长鑫2018年一季度已完成设备安装，一期计划产能12．5万片／月，三期全部满产产能为37．5万片／月。第一阶段主要生产基于19nm平台的8GB LPDDR4产品，用于智能手机。目前已开始投产，预计2018年底良率可达10％，2019年底良率可达80％左右，实现大规模量产。

图14 合肥长鑫项目重要时间节点

福建晋华

由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资，与台湾联电展开技术合作，总投资56．5亿美元，建设12寸内存晶圆厂生产线，从事利基型DRAM的研发和生产销售，产品主要应用于PC及数据中心，未来瞄准消费电子产品。虽然消费电子的存储需求步入存量博弈阶段，但市场规模依旧庞大。

该项目共4期，每期设计产能6万片／月，总计24万片／月。预计4期满产总产值500亿人民币。规划第一阶段提供25nm 4GB DDR4／DDR3产品，争取2018年研发成功，后续继续研发1xnm产品。此次美国禁售，原计划很大可能将会推迟。

图15 福建晋华项目重要时间节点

图16 中国大陆主要半导体制造产线分布图

从上述规划看，我国厂商仍处于起步阶段，存储芯片研发、良品率、成本控制等能否达到预期，还有一定的不确定性，产能释放将是一个缓慢的过程。从产能规划看，国产存储芯片市占率短期内将维持较低水平，2－3年内难以超过1％，2020年后有望得到较大提升。

从存储芯片产业的专利分布、申请趋势以及产业链环节的深入分析看，我们清晰的看到自身技术积累的薄弱，在人才储备、产能规模、企业体量与国际巨头还有显著的差距。虽然晋华事件走向何方还不明朗，但我国发展集成电路产业的决心只会更加坚定。面临挑战，我们必须着眼于产业生态打造，进一步整合资源，完善产业链布局，同时加大力度布局前瞻性技术研发，寻找技术变革带来的新发展机遇。可喜的是，10月26日，中国存储芯片产业联盟在武汉成立，行业抱团取暖，团结就是力量。虽然产业发展道阻且长，但是我们别无选择。