氧离子导体
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9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物（DOPO）是阻燃材料中间体
邻苯基苯酚在阻燃剂、杀菌防腐、医药、印染等领域应用广泛，其中阻燃剂是主要应用领域。 9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物简称DOPO，是一种重要的阻燃材料中间体，外观为白色片状固体，可溶于苯、不溶于水、己烷
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半导体制造中化学品的供应：中美博弈
芝能智芯出品 麦肯锡发布了一篇报告《Creating a thriving chemical semiconductor supply chain in America》，阐述美国半导体供应链中的化学品和材料供应问题是一个复杂而紧迫的议题
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【洞察】预镁硅氧负极材料行业发展速度有望加快 在锂离子电池领域应用潜力巨大
目前，预镁硅氧负极材料存在诸多技术难题尚未解决，无法满足高性能锂离子电池生产需求，这是行业发展面临的主要挑战。 预镁硅氧负极材料，指预先在硅基材料中引入镁元素而制成的电池负极材料。与传统石墨负极材料
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【深度】中国脂肪醇聚氧乙烯醚行业快速成长 产业链一体化生产是企业发展方向
脂肪醇聚氧乙烯醚行业存在一定技术壁垒，加之脂肪醇聚氧乙烯醚产品需要通过规模化生产才能具备竞争优势，因此国内脂肪醇聚氧乙烯醚产企业数量较少。 脂肪醇聚氧乙烯醚又称为聚氧乙烯脂肪醇醚，是非离子表面活性剂中发展最快、用量最大的品种，广泛应用于在纺织印染、造纸、日用化工、农业等领域
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【深度】磷酸焦磷酸铁钠（NFPP）为钠离子电池正极材料 我国产业化进程有望加快
磷酸焦磷酸铁钠作为钠离子电池正极材料，具有结构稳定性好、可逆比容量高、循环寿命长等优势。未来随着应用需求增长，磷酸焦磷酸铁钠行业发展速度有望加快。 磷酸焦磷酸铁钠（NFPP），指含有焦磷酸根的离子型化合物，化学式为Na?Fe?（PO?）?P?O?
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【洞察】预氧毡应用领域广泛 市场需求空间广阔
我国是全球少数拥有碳纤维研发、规模化生产能力的国家之一，且碳纤维生产能力位居全球前列，2022年碳纤维行业产量达4.8万吨左右。 预氧毡是生产碳毡、石墨毡的基础材料，具有耐腐蚀、耐高温、不延燃、疏水、保温、低阻力、高过滤效率等特点
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【洞察】化学电离（CI）是离子源技术一种 市场发展前景良好
反应气需要具备不与样本发生化学反应的性能，选用不同反应气，电离反应效果存在差异。 化学电离（CI），是质谱离子源技术的一种，通过离子-分子反应实现电离，即采用试剂离子与样本分子进行反应的原理来实现样品电离，属于软电离技术
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志橙半导体最终材料来自境外，产品单一，毛利率异常于同行
文：权衡财经iqhcj研究员 朱莉 编：许辉 目前，在中国CVD碳化硅零部件市场中，崇德昱博、东海碳素、西格里碳素等国外企业仍占据主要市场份额，国产CVD碳化硅厂商市场份额占比不高。据统计，2021年，CVD碳化硅零部件领域中国市场前四大厂商均为国外企业，其市场份额合计接近80%
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436亿，全球超导体市场打破纪录
这是一个崭新的新材料赛道：全球竞赛。 铅笔道作者丨直八 近期，一种可能影响人类文明的新技术火了——室温超导。 7月22日，韩国量子能源研究中心、高立大学等提交一篇论文，称已经研制出世界首个室温常压超导体，命名为LK99
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【聚焦】聚阴离子型正极材料优缺点明显 产业化步伐加快
对比来看，过渡金属硫酸盐系列在性能、成本等方面具有优势，是聚阴离子型正极材料的主流路线。聚阴离子型正极材料，是目前钠离子电池三大技术路线之一（其他两大技术路线分别是层状氧化物、普鲁士蓝类化合物）。聚阴
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钇钡铜氧是第二代高温超导材料，市场发展潜力巨大
液氦资源稀缺，价格高昂，液氮价格远低于液氦，因此高温超导材料可大幅降低使用成本，更具市场潜力。钇钡铜氧，简称YBCO，是一种无机化合物，化学式为YBa2Cu3O7－x，外观为黑色固体状。钇钡铜氧是一种重要的高温超导材料，具有高临界转变温度、高临界电流密度、高不可逆磁场等特点
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襁褓中的第三代半导体｜巨潮
文 ｜ 荆玉不知道你是否注意到，近两年安卓手机的充电速度越来越快了。从“充电五分钟通话两小时”的65W快充发展到如今最快150W－200W，高达4000mAh的手机电池，8－10分钟就可以充满电量，可以说部分消费者使用手机的习惯已经随着快充技术的成熟彻底改变
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美国为何急着封锁金刚石、氧化镓半导体材料技术？技术无价，情怀不值钱！
知情郎·眼｜侃透天下专利事儿针对中国！日前，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，称出于国家安全考虑，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制。这四项技术是1）能承受高温高电压的第四代半导体材料氧
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沪硅产业、天岳先进、立昂微……谁是盈利能力最强的半导体材料企业？
本文为企业价值系列之二【盈利能力】篇，共选取11家半导体材料企业作为研究样本。盈利能力评价指标有净资产收益率、总资产收益率、毛利率以及净利率，并以近五年经营数据作为参考。数据基于历史，不代表未来趋势；仅供静态分析，不构成投资建议
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【洞察】铟砷锑是性能优良半导体材料 未来市场发展潜力大
铟砷锑制备通常是采用熔体外延法，在砷化铟（InAs）衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外延层厚度可达100μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外延层位错密度大幅下降，晶体质量得到大幅提升。铟砷锑（I
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【洞察】锑化铟单晶是重要半导体材料 在红外探测器领域前景较好
锑化铟单晶，是重要的衬底材料，制造而成的锑化铟衬底可以广泛应用在红外探测器、光磁探测器、霍尔器件、磁阻器件等产品生产中锑化铟，分子式为InSb，是锑（Sb）和铟（In）的化合物，外观为晶体状，有银色金属光泽，是闪锌矿型结构立方晶系，质地脆、熔点低、不溶于水、有毒性
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