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三星首发新款10nm级内存芯片,功耗降低30%

导读: 7月17日,三星对外宣布,已经成功基于10nm级(10~20nm)工艺,开发出首款LPDDR5-6400内存芯片,其中,LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),容量的模组原型还尚未完全被验证。

7月17日,三星对外宣布,已经成功基于10nm级(10~20nm)工艺,开发出首款LPDDR5-6400内存芯片,其中,LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),容量的模组原型还尚未完全被验证。

此外,该芯片的内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps ,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍;且芯片每秒可以传送51.2GB数据,相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。值得指出的是,如果传输通道是在电脑端的128bit BUS,该芯片每秒传输数据量将会超100GB。

在功耗方面 ,该芯片比上一代产品LPDDR4X要低30%。三星表示,功耗的降低主要得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等新技术加入。

据悉,三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。

资料显示,2014年,三星首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。

LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等。三星称,5G和AI将是其主力服务的场景,他们将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

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