GaN
氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
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4H-SiC衬底表面台阶宽度对GaN薄膜质量的影响
本篇文章中，将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上，并且通过X射线衍射（XRD）方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。
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Power Electronics 2020+项目将在GaN上生长晶格匹配的ScAlN
在最近项目“节能电力电子功能半导体结构研究”（'Power Electronics 2020+'）中正在研究一种新型半导体材料——钪氮化铝（ScAlN）。
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不是GaN也不是石墨烯 一种突破硅技术限制的新材料被发现
大学、协会和电力中心的科学家们已经联合起来，研究一种可以更好地满足未来工业需求的部件及新型材料结构。现在，这些科学家正在研究一种也许大多数电子工程师也未曾听说过的新材料：ScAIN。
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