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前不久,《自然》杂志网站在线发表了一个题为《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》的研究成果。这是天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心马雷教授团队在半导体石墨烯领域取得显著进展,成功制备出高迁移率半导体外延石墨烯,表现出了10倍于硅的性能
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