碳化硅(SiC)涂层石墨基座为MOCVD设备关键部件
我国MOCVD设备供应商有中微公司、中晟光电、广东昭信等,近年来,随着蓝光LED产能向中国大陆转移,MOCVD设备市场需求旺盛,SiC涂层石墨基座作为其核心部件之一,市场需求空间随之扩大
碳化硅(SiC)涂层石墨基座是一种复合结构材料,由石墨基座(石墨材料作为基础承载体)、碳化硅(SiC)表面涂层组成。SiC涂层石墨基座具有耐高温、耐腐蚀、抗溶蚀、抗氧化等优异性能,特别适用于高温、磨损性、腐蚀性等极端环境中,在半导体、光电子等领域应用广泛。
根据新思界产业研究中心发布的《2024-2029年中国碳化硅(SiC)涂层石墨基座行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示,SiC涂层石墨基座是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的核心关键部件及耗材,具有支撑载体、材料界面特性控制、加热单晶衬底、抗氧化保护、降低杂质污染等作用,影响着外延材料的生长质量。
MOCVD设备具有生长速率可控、操作简单等优势,是氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等化合物半导体单晶衬底外延生长的关键设备。我国MOCVD设备供应商有中微公司、中晟光电、广东昭信等,近年来,随着蓝光LED产能向中国大陆转移,MOCVD设备市场需求旺盛,SiC涂层石墨基座作为其核心部件之一,市场需求空间随之扩大。
碳化硅(SiC)具有化学稳定性高、耐腐蚀、高热导率、热膨胀系数与石墨相近等特点,是石墨基座表面涂层的首选材料。SiC根据结构不同又称为α-SiC、β-SiC两大类,其中β-SiC耐腐蚀性更优异,在石墨基座表面涂层中应用价值更高。
SiC涂层石墨基座的涂层制备方法多样,包括等离子喷涂法、浆料涂覆烧结法、电泳沉积法、涂刷法、化学气相沉积法(CVD法)等。其中CVD法技术成熟,更容易实现商业化,是制备SiC涂层的理想选择。
SiC涂层石墨基座行业进入壁垒极高,具体体现在制造技术垄断、开发验证环节长、进入供应链难度大等方面。在国际上市场上,SiC涂层石墨基座主要供应商有荷兰Xycarb、德国Sgl Carbon(SGL)、美国MEMC、日本东洋碳素等。
2017年之前,我国SiC涂层石墨基座市场需求主要依赖进口,为避免半导体行业卡脖子风险,近年来,我国SiC涂层石墨基座国产替代趋势显现。我国SiC涂层石墨基座供应商有湖南德智新材料有限公司(德智新材)、深圳市志橙半导体材料有限公司、浙江六方半导体科技有限公司等。
新思界行业分析人士表示,SiC涂层石墨基座是MOCVD设备的核心部件和重要耗材,其国产化发展,对我国半导体产业发展具有重要意义。目前我国已实现SiC涂层石墨基座技术突破,生产规模也不断扩大,但在制造工艺水平、产品品质等方面与国际领先水平相比仍存在一定差距,未来国产SiC涂层石墨基座仍有较大提升空间。
新思界产业研究院新思界致力做全面、专业的产业研究平台,建立以市场调查、行业研究、规划咨询等为核心的国内业务体系,以海外市场调查、海外公司选址与注册等为核心的海外业务体系为客户提供全方位的国内外产业咨询服务。
原文标题 : 【聚焦】碳化硅(SiC)涂层石墨基座为MOCVD设备关键部件 未来市场增量空间广阔
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