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英国研发新一代革命性内存取代现有DDR

2020-01-20 14:09
IT168
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近日,据外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存”,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100倍,也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低至10ns。

总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升,10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多,但是上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过,英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向,真正大规模制造这种内存还是没影的事。所以在2021-2022年这段时间,DDR5内存还将是服务器市场及桌面市场的主力,据了解三星、镁光、海力士等公司即将量产的DDR5内存最高速率可达6400Mbps。


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