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长江储存推出全新3D NAND构架Xtacking:固态速度有望提升到3Gbps

导读: 8月8日消息 根据长江储存的官方消息,长江存储科技有限责任公司今天公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。

8月8日消息 根据长江储存的官方消息,长江存储科技有限责任公司今天公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士表示:“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

据悉,长江存储已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。

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