铟砷锑
-
【洞察】铟砷锑是性能优良半导体材料 未来市场发展潜力大
铟砷锑制备通常是采用熔体外延法，在砷化铟（InAs）衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外延层厚度可达100μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外延层位错密度大幅下降，晶体质量得到大幅提升。铟砷锑（I
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
4月1日立即下载>> 【村田汽车】汽车E/E架构革新中，新智能座舱挑战的解决方案
-
即日-4.22立即报名>> 【在线会议】汽车腐蚀及防护的多物理场仿真
-
4月23日立即报名>> 【在线会议】研华嵌入式核心优势，以Edge AI驱动机器视觉升级
-
4月25日立即报名>> 【线下论坛】新唐科技2025新品发布会
-
限时免费试用立即申请>> 东集技术AI工业扫描枪&A10DPM工业数据采集终端
-
4月30日立即参与 >> 【白皮书】研华机器视觉项目召集令
最新招聘
更多
维科号
我要发文 >
