磷化铟衬底
-
-
-
【洞察】铟砷锑是性能优良半导体材料 未来市场发展潜力大
铟砷锑制备通常是采用熔体外延法,在砷化铟(InAs)衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶,铟砷锑外延层厚度可达100μm,与衬底之间晶格失配率降至最低,外延层位错密度大幅下降,晶体质量得到大幅提升。铟砷锑(I
-
【洞察】锑化铟单晶是重要半导体材料 在红外探测器领域前景较好
锑化铟单晶,是重要的衬底材料,制造而成的锑化铟衬底可以广泛应用在红外探测器、光磁探测器、霍尔器件、磁阻器件等产品生产中锑化铟,分子式为InSb,是锑(Sb)和铟(In)的化合物,外观为晶体状,有银色金属光泽,是闪锌矿型结构立方晶系,质地脆、熔点低、不溶于水、有毒性
-
【聚焦】碲锌镉衬底在军用及民用领域均有良好市场前景
随着汽车智能化发展,由于具备较强的探测能力,可快速发现目标避免交通事故,碲锌镉衬底在自动驾驶、无人驾驶领域需求快速增长。碲锌镉衬底,是采用碲锌镉(CZT)晶体为材料制造而成的衬底。碲锌镉晶体是人工合成
-
【聚焦】磷化铟衬底技术进步 推动市场规模快速增长
未来,在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下,磷化铟衬底市场规模将持续扩大,成本也将随着规模效应而降低,进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III-V族化合物半导体衬底材料,主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物
-
Soitec与应用材料公司启动联合研发项目,开发新一代碳化硅衬底
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。
-
4H-SiC衬底表面台阶宽度对GaN薄膜质量的影响
本篇文章中,将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上,并且通过X射线衍射(XRD)方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。
最新活动更多 >
-
即日-4.22立即报名>> 【在线会议】汽车腐蚀及防护的多物理场仿真
-
4月23日立即报名>> 【在线会议】研华嵌入式核心优势,以Edge AI驱动机器视觉升级
-
4月25日立即报名>> 【线下论坛】新唐科技2025新品发布会
-
限时免费试用立即申请>> 东集技术AI工业扫描枪&A10DPM工业数据采集终端
-
在线会议观看回放>>> AI加速卡中村田的技术创新与趋势探讨
-
4月30日立即参与 >> 【白皮书】研华机器视觉项目召集令
最新招聘
更多