锗衬底
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【聚焦】碲锌镉衬底在军用及民用领域均有良好市场前景
随着汽车智能化发展,由于具备较强的探测能力,可快速发现目标避免交通事故,碲锌镉衬底在自动驾驶、无人驾驶领域需求快速增长。碲锌镉衬底,是采用碲锌镉(CZT)晶体为材料制造而成的衬底。碲锌镉晶体是人工合成
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【聚焦】磷化铟衬底技术进步 推动市场规模快速增长
未来,在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下,磷化铟衬底市场规模将持续扩大,成本也将随着规模效应而降低,进一步促进下游应用领域的发展。磷化铟衬底是重要的III-V族化合物半导体衬底材料,主要是由于磷化铟系元素周期表上的III族元素的化合物
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【洞察】锗酸铋BGO技术壁垒高 中科院上硅所是领先生产商
BGO在高能粒子、高能射线激发下,可发出峰值为480nm波长的蓝绿色荧光,具有闪烁效率高、能量分辨率优、阻挡高能射线能力强、不潮解等特点。锗酸铋,简称BGO,是氧化铋、氧化锗(Bi2O3-GeO2)系化合物的总称,由于研究最为深入、应用最为广泛,通常情况下,锗酸铋(BGO)特指Bi4Ge3O12
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Soitec与应用材料公司启动联合研发项目,开发新一代碳化硅衬底
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。
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4H-SiC衬底表面台阶宽度对GaN薄膜质量的影响
本篇文章中,将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上,并且通过X射线衍射(XRD)方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。
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