疑似高通骁龙8150旗舰芯片跑分现身：涨幅巨大
2018-11-14 14:39
来源：
IT之家
综合之前的国内外媒体爆料消息，高通的下一代旗舰芯片骁龙855将命名为“骁龙8150”。将采用台积电的7nm FinFET工艺制造，另外，该芯片将加入独立NPU，在AI方面将迎来大幅度的提升，而不是目前的“AIE”。
现在，在geekbench数据库里，出现了一款“QUALCOMM msmnile for arm64”跑分数据，这很有可能是骁龙8150的跑分数据，具体来看，相比上一代旗舰骁龙845，无论是单核还是多核，骁龙8150又迎来了巨大的提升。
骁龙8150的单核心3200＋分，多核心破万，达到了11000＋，作为对比，骁龙845的平均单核心跑分为2500左右，多核心为8900左右。
“骁龙8150”还将采用与华为麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计，也就是说，这枚芯片拥有2个超大核，两个大核心和4个小核心，骁龙8150有望最早今年12月位于夏威夷的年度峰会上亮相。
分享
声明：
本文由入驻维科号的作者撰写，观点仅代表作者本人，不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题，请联系举报。
最新活动更多
-
8月27-29日马上报名>>> 2024（第五届）全球数字经济产业大会暨展览会
-
精彩回顾立即查看>> 康耐视-基于Al和计算成像技术直播活动
-
精彩回顾立即查看>> 【汉高直播】导热类材料在电源及储能行业的应用
-
精彩回顾立即查看>> 【干货！】金升阳国产电源
-
精彩回顾立即查看>> 太阳能光伏组件创新技术在线峰会
-
精彩回顾立即查看>> 【在线研讨会】红外高温仪在光伏材料制备领域的应用
发表评论
请输入评论内容...
请输入评论/评论长度6~500个字
暂无评论
暂无评论