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诺奖授予LED蓝光技术 相关稀有金属材料或遭热捧

2014-10-10 10:32
Radow
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  10月7日瑞典皇家科学院将2014年诺贝尔物理学奖授予了因发明了“高亮度蓝色发光二极管(LED)”的日本科学家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科学家中村修二,以表彰他们在发现新型高效、环境友好型光源方面所作出的贡献。

  从半导体中产生高亮度蓝色光的方法是“光技术领域一场根本性的变革”。蓝色LED光一直是技术难题,在1989年才首次研发成功,而红色和绿色的LED光30年前就已出现。蓝光LED的加入使白光可以以新的方式被创造出来,这样我们就拥有了更加持久和更加高效的LED灯光代替原来的光源。

  瑞典皇家科学院在宣布今年获奖名单时说:“LED灯的出现,使得我们在传统光源之外,找到了更持久、更节能的光源。这项发明开启了一场照明革命,白炽灯泡照亮了20世纪,而21世纪将被LED灯照亮。”与白炽灯、荧光灯相比,LED能耗更低,寿命更长,而且可实现智能化操控,是节能环保的“绿色照明”。因此进入市场后,呈现爆发式增长。国家半导体照明应用系统工程技术研究中心经理杨洁翔介绍,我国2010年的LED产值是700多亿元;而到了2013年,全年产值猛增到5000多亿元。家庭、办公、道路等各种场所的照明以及绚烂的景观灯光,这些市场“主力军”如今都是LED.

  稀有金属镓、铟等材料对LED照明技术的发展可谓“功不可没”。目前,LED光源的核心材料主要是稀有金属镓(Ga)、铟(In)与砷(AS)、磷(P)的化合物,并且基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的也是最具有商业应用价值的LED发光材料。随着LED光源越来越广泛应用,大量稀有金属化合物制成的发光半导体材料也将迎来更大的需求。据统计,2013年我国芯片环节产值达到105亿元,增幅31.5%;产量增幅更是高达61%,其中GaN芯片的产量占比达65%,而以InGaAlP芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%,GaAs等其他芯片占比为10%左右。

  据专家预测,2014年我国LED行业将延续2013年上升势头,迎来新一轮的增长,预计增长率将达到40%左右。全球LED照明的快速发展,必将会带动镓和铟等稀有半导体金属需求的快速增长,也会带动越来越多的企业和个人关注铟和镓等稀有金属。作为全球铟、镓等稀有金属交易量和库存量最大的现货交易所,泛亚有色金属交易所在稀有金属行业内的优势地位也会逐渐凸显。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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